2SK3666-2-TB-E
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2SK3666-2-TB-E參數(shù)：IC JFET N-CH 30V 10MA CP

類別：分立半導體產(chǎn)品-JFET（結點場效應
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
不同 Vds (Vgs=0) 時的電流 - 漏極 (Idss)：600µA @ 10V
漏源極電壓 (Vdss)：30V
漏極電流 (Id) - 最大值：10mA
FET 類型：N 溝道
電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)：-
不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）：180mV @ 1µA
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：4pF @ 10V
電阻 - RDS（開）：200 歐姆
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝：3-CP
功率 - 最大值：200mW