2SK3666-3-TB-E
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2SK3666-3-TB-E參數(shù)：JFET N-CH 30V 10MA 3CP

類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-JFET（結(jié)點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)
產(chǎn)品目錄繪圖： CPPackageN-Channel&RFFets,Top
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
不同Vds(Vgs=0)時(shí)的電流-漏極(Idss)：1.2mA@10V
漏源極電壓(Vdss)：30V
漏極電流(Id)-最大值：10mA
FET類(lèi)型：N溝道
電壓-擊穿(V(BR)GSS)：-
不同Id時(shí)的電壓-截止（VGS關(guān)）：180mV@1µA
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：4pF@10V
電阻-RDS（開(kāi)）：200歐姆
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝：3-CP
功率-最大值：200mW