2SK536-TB-E參數(shù)：MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品目錄繪圖： CPPackageN-Channel&RFFets,Top標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：50V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：100mA不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：20歐姆@10mA，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：-不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：-不同Vds時的輸入電容(Ciss)：15pF@10V功率-最大值：200mW安裝類型：表面貼裝封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供應(yīng)商器件封裝：3-CP