APT20M22B2VFRG參數(shù):MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝:30系列:POWER MOS V®包裝:管件FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss):200V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時):100A不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):22 毫歐 @ 500mA,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 2.5mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):435nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):10200pF @ 25V功率 - 最大值:520W安裝類型:通孔封裝:TO-247-3 變式供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2]