APT22F100J參數(shù):MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227
類別:半導(dǎo)體模塊-FET標(biāo)準(zhǔn)包裝:10系列:POWER MOS 8™包裝:管件FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss):1000V(1kV)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)):23A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):380 毫歐 @ 18A,10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):-不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):305nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):9835pF @ 25V功率 - 最大值:545W安裝類型:底座安裝封裝:SOT-227-4,miniBLOC供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP?