APT50GP60J參數(shù):IGBT 600V 100A 329W SOT227
類別:半導(dǎo)體模塊-IGBT標(biāo)準(zhǔn)包裝:10系列:POWER MOS 7®IGBT 類型:PT配置:單一電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on):2.7V @ 15V,50A電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100A電流 - 集電極截止(最大值):500µA不同?Vce 時的輸入電容 (Cies):5.7nF @ 25V功率 - 最大值:329W輸入:標(biāo)準(zhǔn)NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝:SOT-227-4,miniBLOC供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP?