APT50GR120JD30參數(shù)：IGBT 1200V 84A 417W SOT227
類別：半導(dǎo)體模塊-IGBT標(biāo)準(zhǔn)包裝：10系列：-IGBT 類型：NPT配置：單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：*電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：84A電流 - 集電極截止（最大值）：1.1mA不同?Vce 時的輸入電容 (Cies)：*功率 - 最大值：417W輸入：標(biāo)準(zhǔn)NTC 熱敏電阻：無安裝類型：底座安裝封裝：SOT-227-4供應(yīng)商器件封裝：SOT-227
