APT65GP60B2G
PDF資料下載

APT65GP60B2G參數(shù)：IGBT 600V 100A 833W TMAX

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路
標(biāo)準(zhǔn)包裝：30
系列：POWER MOS 7®
包裝：管件
IGBT 類型：PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on)：2.7V @ 15V，65A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100A
Current - Collector Pulsed (Icm)：250A
功率 - 最大值：833W
Switching Energy：605µJ (開(kāi)), 896µJ (關(guān))
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
Gate Charge：210nC
Td (on/off) A 25°C：30ns/91ns
Test Condition：400V, 65A, 5 歐姆, 15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：-
封裝：TO-247-3 變式
安裝類型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：*