APT65GP60J參數(shù)：IGBT 600V 130A 431W SOT227
類別：半導體模塊-IGBT標準包裝：10系列：POWER MOS 7®IGBT 類型：PT配置：單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：2.7V @ 15V，65A電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：130A電流 - 集電極截止（最大值）：1mA不同?Vce 時的輸入電容 (Cies)：7.4nF @ 25V功率 - 最大值：431W輸入：標準NTC 熱敏電阻：無安裝類型：底座安裝封裝：SOT-227-4，miniBLOC供應商器件封裝：ISOTOP?
