APT75GN120B2G參數(shù):IGBT 1200V 200A 833W TMAX
類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路標(biāo)準(zhǔn)包裝:30系列:-包裝:管件IGBT 類(lèi)型:溝道和場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on):2.1V @ 15V,75A電流 - 集電極 (Ic)(最大值):200ACurrent - Collector Pulsed (Icm):225A功率 - 最大值:833WSwitching Energy:8045µJ (開(kāi)), 7640µJ (關(guān))輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn)Gate Charge:425nCTd (on/off) A 25°C:60ns/620nsTest Condition:800V, 75A, 1 歐姆, 15V反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):-封裝:TO-247-3 變式安裝類(lèi)型:通孔供應(yīng)商器件封裝:*