APT85GR120B2參數(shù):IGBT SINGLE
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路標(biāo)準(zhǔn)包裝:30系列:-包裝:*IGBT 類型:NPT電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on):3.2V @ 15V,85A電流 - 集電極 (Ic)(最大值):170ACurrent - Collector Pulsed (Icm):340A功率 - 最大值:962WSwitching Energy:6mJ (開), 3.8mJ (關(guān))輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)Gate Charge:660nCTd (on/off) A 25°C:43ns/300nsTest Condition:600V, 85A, 4.3 歐姆, 15V反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):-封裝:*安裝類型:*供應(yīng)商器件封裝:*