APTC60DAM35T1G參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 72A SP1
類別：半導(dǎo)體模塊-FET標(biāo)準(zhǔn)包裝：1系列：-包裝：散裝FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：600V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：72A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：35 毫歐 @ 72A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 5.4mA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：518nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：14000pF @ 25V功率 - 最大值：416W安裝類型：底座安裝封裝：SP1供應(yīng)商器件封裝：SP1
