APTC80DA15T1G參數(shù):MOSFET N-CH 800V 28A SP1
類別:半導(dǎo)體模塊-FET標(biāo)準(zhǔn)包裝:1系列:-包裝:散裝FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss):800V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)):28A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 14A,10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 2mA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):180nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):4507pF @ 25V功率 - 最大值:277W安裝類型:底座安裝封裝:SP1供應(yīng)商器件封裝:SP1