APTGF100DA120T1G參數(shù):IGBT 1200V 130A 735W SP1
類別:半導體模塊-IGBT標準包裝:1系列:-IGBT 類型:NPT配置:單一電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on):3.7V @ 15V,100A電流 - 集電極 (Ic)(最大值):130A電流 - 集電極截止(最大值):250µA不同?Vce 時的輸入電容 (Cies):6.5nF @ 25V功率 - 最大值:735W輸入:標準NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝:SP1供應(yīng)商器件封裝:SP1