APTGF150H120G參數(shù)：IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP6
類別：半導(dǎo)體模塊-IGBT標(biāo)準(zhǔn)包裝：1系列：-IGBT 類型：NPT配置：全橋反相器電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：3.7V @ 15V，150A電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：200A電流 - 集電極截止（最大值）：350µA不同?Vce 時的輸入電容 (Cies)：10.2nF @ 25V功率 - 最大值：961W輸入：標(biāo)準(zhǔn)NTC 熱敏電阻：無安裝類型：底座安裝封裝：SP6供應(yīng)商器件封裝：SP6
