APTGF660U60D4G參數(shù)：IGBT 600V 860A 2800W D4
類別：半導(dǎo)體模塊-IGBT標(biāo)準包裝：1系列：-IGBT 類型：NPT配置：單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：2.45V @ 15V，800A電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：860A電流 - 集電極截止（最大值）：500µA不同?Vce 時的輸入電容 (Cies)：36nF @ 25V功率 - 最大值：2800W輸入：標(biāo)準NTC 熱敏電阻：無安裝類型：底座安裝封裝：D4供應(yīng)商器件封裝：D4
