APTGFQ25H120T2G參數(shù)：IGBT 1200V 40A 227W MODULE
類別：半導(dǎo)體模塊-IGBT標(biāo)準(zhǔn)包裝：1系列：-IGBT 類型：NPT 型和場截止型配置：全橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：2.1V @ 15V，25A電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：40A電流 - 集電極截止（最大值）：250µA不同?Vce 時的輸入電容 (Cies)：2.02nF @ 25V功率 - 最大值：227W輸入：標(biāo)準(zhǔn)NTC 熱敏電阻：是安裝類型：通孔封裝：SP2供應(yīng)商器件封裝：SP2
