APTGT35DA120D1G參數(shù):IGBT 1200V 55A 205W D1
類別:半導(dǎo)體模塊-IGBT標(biāo)準(zhǔn)包裝:1系列:-IGBT 類型:溝道和場(chǎng)截止配置:?jiǎn)我?br>電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on):2.1V @ 15V,35A電流 - 集電極 (Ic)(最大值):55A電流 - 集電極截止(最大值):5mA不同?Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):2.5nF @ 25V功率 - 最大值:205W輸入:標(biāo)準(zhǔn)NTC 熱敏電阻:無(wú)安裝類型:底座安裝封裝:D1供應(yīng)商器件封裝:D1