APTGT750U60D4G參數(shù)：IGBT 600V 1000A 2300W D4
類別：半導體模塊-IGBT標準包裝：1系列：-IGBT 類型：溝道和場截止配置：單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：1.9V @ 15V，800A電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：1000A電流 - 集電極截止（最大值）：1mA不同?Vce 時的輸入電容 (Cies)：49nF @ 25V功率 - 最大值：2300W輸入：標準NTC 熱敏電阻：無安裝類型：底座安裝封裝：D4供應(yīng)商器件封裝：D4
