APTGT75H60T1G參數(shù)：POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1
類別：半導體模塊-IGBT標準包裝：1系列：-IGBT 類型：溝道和場截止配置：全橋反相器電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：1.9V @ 15V，75A電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100A電流 - 集電極截止（最大值）：250µA不同?Vce 時的輸入電容 (Cies)：4.62nF @ 25V功率 - 最大值：250W輸入：標準NTC 熱敏電阻：是安裝類型：底座安裝封裝：SP1供應商器件封裝：SP1
