APTM100DA18T1G
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APTM100DA18T1G參數(shù)：MOSFET N-CH 1000V 40A SP1

類(lèi)別：半導(dǎo)體模塊-FET
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1
系列：-
包裝：散裝
FET 類(lèi)型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：40A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：216 毫歐 @ 33A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：570nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：14800pF @ 25V
功率 - 最大值：657W
安裝類(lèi)型：底座安裝
封裝：SP1
供應(yīng)商器件封裝：SP1