APTM100DA18TG參數(shù)：MOSFET N-CH 1000V 43A SP4
類別：半導體模塊-FET標準包裝：1系列：-包裝：散裝FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：43A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：210 毫歐 @ 21.5A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 5mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：372nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：10400pF @ 25V功率 - 最大值：780W安裝類型：底座安裝封裝：SP4供應商器件封裝：SP4
