APTM100H80FT1G參數(shù)：MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP1
類別：半導(dǎo)體模塊-FET標準包裝：1系列：-包裝：散裝FET 類型：4 個 N 通道（H 橋）FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：11A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：960 毫歐 @ 9A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：150nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：3876pF @ 25V功率 - 最大值：208W安裝類型：底座安裝封裝：SP1供應(yīng)商器件封裝：SP1
