APTM20DAM08TG參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 208A SP4
類別：半導(dǎo)體模塊-FET標(biāo)準(zhǔn)包裝：1系列：-包裝：散裝FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：200V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：208A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：10 毫歐 @ 104A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 5mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：280nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：14400pF @ 25V功率 - 最大值：781W安裝類型：底座安裝封裝：SP4供應(yīng)商器件封裝：SP4
