APTM20DHM08G參數：MOSFET MOD ASSYMMETRIC BRDG SP6
類別：半導體模塊-FET標準包裝：1系列：-包裝：散裝FET 類型：2 N 溝道（非對稱橋）FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：200V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：208A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：10 毫歐 @ 104A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 5mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：280nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：14400pF @ 25V功率 - 最大值：781W安裝類型：底座安裝封裝：SP6供應商器件封裝：SP6
