APTM20UM09SG參數：MOSFET N-CH 200V 195A J3
類別：半導體模塊-FET標準包裝：1系列：-包裝：散裝FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：200V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：195A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：9 毫歐 @ 74.5A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 4mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：217nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：12300pF @ 25V功率 - 最大值：780W安裝類型：底座安裝封裝：J3 模塊供應商器件封裝：模塊
