DMC3025LSD-13參數(shù)：MOSFET N/P-CH 30V 8SO
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列PCNDesign/Specification： WaferSite/BondWire8/Apr/2013標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：N和P溝道FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：6.5A，4.2A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：20毫歐@7.4A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：9.8nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：501pF@15V功率-最大值：1.2W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SO
