DMG1012T-7
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DMG1012T-7參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：630mA
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：400毫歐@600mA，4.5V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：0.74nC@4.5V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：60.67pF@16V
功率-最大值：280mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：SOT-523
供應(yīng)商器件封裝：SOT-523