DMG1013UW-7參數(shù):MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
類別:分立半導體產(chǎn)品-FET - 單PCNDesign/Specification: BondWire11/Nov/2011PCNOther: MultipleDeviceChanges29/Apr/2013標準包裝:3,000系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETP通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):20V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):820mA不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):750毫歐@430mA,4.5V不同Id時的Vgs(th)(最大值):1V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):0.622nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss):59.76pF@16V功率-最大值:310mW安裝類型:表面貼裝封裝:SC-70,SOT-323供應商器件封裝:SOT-323