DMG1016UDW-7
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DMG1016UDW-7參數(shù)：MOSFET N+P 20V 1.07A SOT363

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 陣列
PCNDesign/Specification： BondWire3/May/2011
PCNOther： MultipleDeviceChanges29/Apr/2013
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：N和P溝道
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：1.07A，845mA
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：450毫歐@600mA，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：0.74nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：60.67pF@16V
功率-最大值：330mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商器件封裝：SOT-363