DMG1016V-7參數(shù)：MOSFET N+P 20V 870MA SOT563
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類(lèi)型：N和P溝道FET功能：邏輯電平門(mén)漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：870mA，640mA不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：400毫歐@600mA，4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：0.74nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：60.67pF@16V功率-最大值：530mW安裝類(lèi)型：表面貼裝封裝：SOT-563，SOT-666供應(yīng)商器件封裝：SOT-563
