DMG1026UV-7參數(shù)：MOSFET DL N-CH 60V 410MA SOT-563
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：2個N溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：60V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：410mA不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：1.8歐姆@500mA，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.8V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：0.45nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：32pF@25V功率-最大值：580mW安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-563，SOT-666供應(yīng)商器件封裝：SOT-563
