DMG1029SV-7
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DMG1029SV-7參數(shù)：MOSFET N/P-CH 60V 480/320 SOT563

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：N和P溝道
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：60V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：480mA，320mA
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：1.7歐姆@500mA，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：-
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：50pF@25V
功率-最大值：660mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：SOT-563，SOT-666
供應(yīng)商器件封裝：SOT-563