DMG3415UFY4-7參數(shù)：MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：16V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：2.5A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：39毫歐@4A，4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：10nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：281.9pF@10V功率-最大值：490mW安裝類型：表面貼裝封裝：3-XFDFN供應(yīng)商器件封裝：DFN2015H4-3
