DMG4710SSS-13參數(shù):MOSFET N-CH 30V 12.7A SO8
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNDesign/Specification: BondWire11/Nov/2011PCNOther: MultipleDeviceChanges29/Apr/2013標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500系列:SiMFET包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,肖特基,金屬氧化物!FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):30V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):8.8A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):12.5毫歐@11.7A,10V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):2.3V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):43nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):1849pF@15V功率-最大值:1.54W安裝類型:表面貼裝封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm寬)供應(yīng)商器件封裝:8-SOP