DMG6402LDM-7參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：5.3A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：27毫歐@7A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：9.2nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：404pF@15V功率-最大值：1.12W安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-23-6供應(yīng)商器件封裝：SOT-26
