DMG6601LVT-7參數(shù)：MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：N 和 P 溝道FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：3.8A，2.5A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：55 毫歐 @ 3.4A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：12.3nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：422pF @ 15V功率 - 最大值：850mW安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6供應(yīng)商器件封裝：26-TSOT
