DMG6602SVT-7參數(shù)：MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 陣列標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：N 和 P 溝道FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：3.4A，2.8A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：60 毫歐 @ 3.1A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：13nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：400pF @ 15V功率 - 最大值：1.12W安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-23-6 細型，TSOT-23-6供應商器件封裝：TSOT-23-6
