DMG6602SVT-7參數(shù)：MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類(lèi)型：N 和 P 溝道FET 功能：邏輯電平門(mén)漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：3.4A，2.8A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：60 毫歐 @ 3.1A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：13nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：400pF @ 15V功率 - 最大值：1.12W安裝類(lèi)型：表面貼裝封裝：SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6供應(yīng)商器件封裝：TSOT-23-6
