DMG8601UFG-7參數(shù)：MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：2個(gè)N溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：6.1A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：23毫歐@6.5A，4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：950mV@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：8.8nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：143pF@10V功率-最大值：920mW安裝類型：表面貼裝封裝：8-UDFN裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝：8-DFN3030（3x3）
