DMHC3025LSD-13參數(shù)：MOSFET 2N+2P 30V 8SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列PCNDesign/Specification： WaferSite/BondWire8/Apr/2013標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：2個N?通道和2個P通道（H橋）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：6A，4.2A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：25毫歐@5A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：11.7nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：590pF@15V功率-最大值：1.5W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SO
