DMN1019UFDE-7參數(shù)：MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：12V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：11A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：10 毫歐 @ 9.7A，4.5V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：800mV @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：50.6nC @ 8V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：2425pF @ 10V功率 - 最大值：690mW安裝類型：表面貼裝封裝：6-UDFN供應(yīng)商器件封裝：*
