DMN2004VK-7參數(shù):MOSFET DUAL N-CHAN 20V SOT-563
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列其它圖紙: SOT-563PackageTopPCNDesign/Specification: BondWire11/Nov/2011標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:2個(gè)N溝道(雙)FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):20V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):540mA不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):550毫歐@540mA,4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):1V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):-不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):150pF@16V功率-最大值:250mW安裝類型:表面貼裝封裝:SOT-563,SOT-666供應(yīng)商器件封裝:SOT-563