DMN2005LP4K-7參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它圖紙： DFN1006H4-3Side DFN1006H4-3BottomPCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：200mA不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：1.5歐姆@10mA，4V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：900mV@100µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：-不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：41pF@3V功率-最大值：200mW安裝類型：表面貼裝封裝：3-XFDFN供應(yīng)商器件封裝：3-DFN1006H4（1.0x0.6）
