DMN2016UTS-13參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：2個(gè)N溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：8.58A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：14.5毫歐@9.4A，4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：16.5nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1495pF@10V功率-最大值：880mW安裝類型：表面貼裝封裝：8-TSSOP（0.173"，4.40mm寬）供應(yīng)商器件封裝：8-TSSOP
