DMN2100UDM-7參數(shù):MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品目錄繪圖: SOT-26PackageTop SOT-26PackageSide1 SOT-26PackageSide2PCNDesign/Specification: BondWire3/May/2011標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):20V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):3.3A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):55毫歐@6A,4.5V不同Id時的Vgs(th)(最大值):1V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):-不同Vds時的輸入電容(Ciss):555pF@10V功率-最大值:900mW安裝類型:表面貼裝封裝:SOT-23-6供應(yīng)商器件封裝:SOT-26