DMN2114SN-7參數(shù):MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品目錄繪圖: SC-59PackageTopPCNDesign/Specification: BondWire3/May/2011標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):20V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):1.2A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):100毫歐@500mA,4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):1.4V@1mA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):-不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):180pF@10V功率-最大值:500mW安裝類型:表面貼裝封裝:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供應(yīng)商器件封裝:SC-59-3