DMN3030LFG-7參數(shù)：MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：2,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：5.3A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：18 毫歐 @ 10A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：17.4nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：751pF @ 10V功率 - 最大值：900mW安裝類型：表面貼裝封裝：8-PowerVDFN供應商器件封裝：PowerDI3333-8
