DMN601DWK-7參數(shù):MOSFET N-CH DL 60V 200MW SOT-363
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列其它圖紙: SOT-363PackageTop SOT-363PackageSide1 SOT-363PackageSide2PCNDesign/Specification: BondWire3/May/2011PCNOther: MultipleDeviceChanges29/Apr/2013標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:2個N溝道(雙)FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):60V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):305mA不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):2歐姆@500mA,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):2.5V@1mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):-不同Vds時的輸入電容(Ciss):50pF@25V功率-最大值:200mW安裝類型:表面貼裝封裝:6-TSSOP,SC-88,SOT-363供應(yīng)商器件封裝:SOT-363