DMN6040SVT-7參數(shù)：MOSFET N CH 60V 5A TSOT26
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNDesign/Specification： WaferSite/BondWire8/Apr/2013標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：60V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：5A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：44毫歐@4.3A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：22.4nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1287pF@25V功率-最大值：1.2W安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-23-6細(xì)型，TSOT-23-6供應(yīng)商器件封裝：26-TSOT
